Spausdinti puslapį
IXFN210N20P
MOSFET Transistor, N Channel, 188 A, 200 V, 0.00105 ohm, 10 V, 4.5 V
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
191 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 42,260 € |
| 5+ | 37,030 € |
| 10+ | 31,800 € |
| 50+ | 30,000 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
42,26 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasLITTELFUSE
Gamintojo detalės nr.IXFN210N20P
Užsakymo kodas3930242
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id188A
Drain Source Voltage Vds200V
Drain Source On State Resistance0.00105ohm
On Resistance Rds(on)0.00105ohm
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation1.07kW
Power Dissipation Pd1.07kW
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Produktų apžvalga
N-channel enhancement mode avalanche rated fast intrinsic diode. It Is suitable for use in DC-DC converters, battery chargers, switch-mode and resonant-mode power supplies, DC choppers, AC and DC motor drives, uninterruptible power supplies, high speed power switching applications.
- miniBLOC with aluminium nitride isolation
- Low RDS(ON) and QG
- Easy to mount
- Space savings
- High power density
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
188A
Drain Source On State Resistance
0.00105ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.07kW
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.00105ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
1.07kW
Product Range
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:South Korea
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:South Korea
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:To Be Advised
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000001
Produkto kilmės atsekamumas