Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
5 961 Sandėlyje
Reikia daugiau?
.
.
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 5+ | 0,899 € |
| 50+ | 0,579 € |
| 250+ | 0,412 € |
| 1000+ | 0,303 € |
| 2000+ | 0,279 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 5
Keli: 5
4,50 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.FQT7N10LTF
Užsakymo kodas2101412
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance0.35ohm
Transistor Case StyleSOT-223
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation2W
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCLead (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
The FQT7N10LTF is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
- 100% avalanche tested
- 5.8nC typical low gate charge
- 10pF typical low Crss
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
Transistor Case Style
SOT-223
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.35ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
4Pins
Product Range
-
MSL
-
Techniniai duomenys (2)
Alternatyvos FQT7N10LTF
Rasta produktų: 4
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:South Korea
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:South Korea
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Y-Ex
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:Lead (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000124