Spausdinti puslapį
TP70H300G4LSGB-TR
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 700 V, 8 A, 0.312 ohm, 5.4 nC, QFN, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasRENESAS
Gamintojo detalės nr.TP70H300G4LSGB-TR
Užsakymo kodas4680956
Produktų asortimentasSuperGaN Series
Techninės specifikacijos
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 16 sav.
Pranešti man, kai bus sandėlyje
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 2,770 € |
| 10+ | 2,420 € |
| 100+ | 2,010 € |
| 500+ | 1,800 € |
| 1000+ | 1,660 € |
| 5000+ | 1,550 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
2,77 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Informacija apie produktą
GamintojasRENESAS
Gamintojo detalės nr.TP70H300G4LSGB-TR
Užsakymo kodas4680956
Produktų asortimentasSuperGaN Series
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds700V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.312ohm
Typical Gate Charge5.4nC
Transistor Case StyleQFN
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins8Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktų apžvalga
TP70H300G4LSGB-TR is a 700V, 300mohm SuperGaN® Gallium Nitride (GaN) FET. It is a normally-off device using Renesas’ Gen IV platform. It combines a state-of-the art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. Applications include consumer, power adapters, low power SMPS and lighting.
- Dynamic RDS(on)eff production tested
- Transient over-voltage capability and E-mode gate driver operation without zener protection
- Very low QRR
- Reduced crossover loss
- 2kV HBM ESD rating
- Achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits
- Easy to drive with commonly used gate drivers
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
700V
Drain Source On State Resistance
0.312ohm
Transistor Case Style
QFN
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
8A
Typical Gate Charge
5.4nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000001
Produkto kilmės atsekamumas