Spausdinti puslapį
GA100XCP12-227
Silicon Carbide IGBT Single Transistor, 100 A, 1200 V, 1.2 kV, SOT-227, 3 Pins
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasGENESIC
Gamintojo detalės nr.GA100XCP12-227
Užsakymo kodas1862695
Techninės specifikacijos
Continuous Collector Current100A
IGBT ConfigurationSingle
Continuous Collector Current100A
Collector Emitter Saturation Voltage2V
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleSOT-227
Operating Temperature Max150°C
No. of Pins3Pins
IGBT TerminationScrew
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
Techniniai duomenys
Continuous Collector Current
100A
Continuous Collector Current
100A
Power Dissipation
-
Transistor Case Style
SOT-227
No. of Pins
3Pins
IGBT Technology
-
Product Range
-
IGBT Configuration
Single
Collector Emitter Saturation Voltage
2V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
Screw
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.029