Spausdinti puslapį
FDN342P
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2 A, 0.062 ohm, SuperSOT, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.FDN342P
Užsakymo kodas1611160
Jūsų dalies numeris
Techninės specifikacijos
2 188 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 0,858 € |
| 10+ | 0,535 € |
| 100+ | 0,347 € |
| 500+ | 0,267 € |
| 1000+ | 0,240 € |
| 5000+ | 0,235 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
0,86 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Informacija apie produktą
GamintojasONSEMI
Gamintojo detalės nr.FDN342P
Užsakymo kodas1611160
Techninės specifikacijos
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2A
Drain Source On State Resistance0.062ohm
Transistor Case StyleSuperSOT
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1.05V
Power Dissipation500mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktų apžvalga
The FDN342P is a 2.5V specified P-channel MOSFET produced using rugged gate version of advanced PowerTrench® process. It has been optimized for load switch and battery protection applications requiring a wide range of gate drive voltage ratings (2.5 to 12V).
- High performance Trench technology for extremely low RDS (ON)
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2A
Transistor Case Style
SuperSOT
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
500mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.062ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.05V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (3)
Alternatyvos FDN342P
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000055