Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Nėra sandėlyje
Informacija apie produktą
GamintojasRENESAS
Gamintojo detalės nr.HIP2211EVAL2Z
Užsakymo kodas3408578
Silicon ManufacturerRenesas
Silicon Core NumberHIP2211FBZ
Kit Application TypePower Management
Application Sub TypeHalf Bridge Driver
Kit ContentsEvaluation Board HIP2211FBZ
Product Range-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
- HIP2211 8 lead SOIC evaluation board
- 3A source and 4A sink NMOS gate drivers
- Internal level shifter and bootstrap diode for gate driver on high-side NFET
- Up to 100V high-side bootstrap reference
- 6V to 18V bias supply operation
- Fast 15ns typical propagation delay and 2ns typical propagation delay match supports 1MHz operation
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Silicon Manufacturer
Renesas
Kit Application Type
Power Management
Kit Contents
Evaluation Board HIP2211FBZ
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Silicon Core Number
HIP2211FBZ
Application Sub Type
Half Bridge Driver
Product Range
-
Techniniai duomenys (2)
Susiję produktai
Rasta produktų: 2
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Netaikoma
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Netaikoma
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000001