Spausdinti puslapį
TP65H035G4YS
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 46.5 A, 0.041 ohm, 42.7 nC, TO-247, Through Hole
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasRENESAS
Gamintojo detalės nr.TP65H035G4YS
Užsakymo kodas4680953
Produktų asortimentasSuperGaN Series
Techninės specifikacijos
1 184 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 10,380 € |
| 5+ | 10,340 € |
| 10+ | 10,300 € |
| 50+ | 10,250 € |
| 100+ | 10,210 € |
| 250+ | 10,170 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
10,38 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasRENESAS
Gamintojo detalės nr.TP65H035G4YS
Užsakymo kodas4680953
Produktų asortimentasSuperGaN Series
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id46.5A
Drain Source On State Resistance0.041ohm
Typical Gate Charge42.7nC
Transistor Case StyleTO-247
Transistor MountingThrough Hole
No. of Pins4Pins
Product RangeSuperGaN Series
Qualification-
Produktų apžvalga
TP65H035G4YS is a 650V, 35mohm gallium nitride (GaN) FET. It is a normally-off device using Renesas’s Gen IV platform. It combines a state-of-the-art high voltage GaN HEMT with a low voltage silicon MOSFET to offer superior reliability and performance. The Gen IV SuperGaN® platform uses advanced epi and patented design technologies to simplify manufacturability while improving efficiency over silicon via lower gate charge, output capacitance, crossover loss, and reverse recovery charge. It is ideal for datacom, broad industrial, PV inverter and servo motor applications.
- JEDEC qualified GaN technology
- Dynamic RDS(on)eff production tested
- Robust design featuring a wide gate safety margin and transient over-voltage capability
- Enhanced inrush current capability and reduced crossover loss
- Enables AC-DC bridgeless totem-pole PFC designs
- Achieves increased efficiency in both hard- and soft-switched circuits
- Easy to drive with commonly-used gate drivers
- GSD pin layout improves high speed design
- Available in 4 pin TO-247 package
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.041ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
4Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
46.5A
Typical Gate Charge
42.7nC
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
SuperGaN Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000001
Produkto kilmės atsekamumas