Spausdinti puslapį
A1P50S65M2
IGBT Module, Six Pack [Full Bridge], 50 A, 1.95 V, 208 W, 175 °C, Module
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.A1P50S65M2
Užsakymo kodas2980976
Produktų asortimentasACEPACK 1
Techninės specifikacijos
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 42 sav.
Pranešti man, kai bus sandėlyje
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 49,640 € |
| 5+ | 45,240 € |
| 10+ | 40,830 € |
| 50+ | 40,010 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
49,64 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.A1P50S65M2
Užsakymo kodas2980976
Produktų asortimentasACEPACK 1
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationSix Pack [Full Bridge]
Continuous Collector Current50A
DC Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.95V
Collector Emitter Saturation Voltage1.95V
Power Dissipation208W
Power Dissipation Pd208W
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationSolder
Collector Emitter Voltage Max650V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo650V
IGBT TechnologyTrench Field Stop
Transistor MountingPanel
Product RangeACEPACK 1
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Six Pack [Full Bridge]
DC Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.95V
Power Dissipation Pd
208W
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Solder
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
650V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.95V
Power Dissipation
208W
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
650V
IGBT Technology
Trench Field Stop
Product Range
ACEPACK 1
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00145
Produkto kilmės atsekamumas