Spausdinti puslapį
STD9N65M2
Power MOSFET, N Channel, 650 V, 5 A, 0.79 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STD9N65M2
Užsakymo kodas2460392RL
Techninės specifikacijos
1 472 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 100+ | 0,927 € |
| 500+ | 0,681 € |
| 1000+ | 0,625 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 100
Keli: 1
97,70 € (be PVM)
5,00 € pervyniojimo mokestis bus pridėtas šiam produktui
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.STD9N65M2
Užsakymo kodas2460392RL
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id5A
Drain Source On State Resistance0.79ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation60W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The STD9N65M2 is a MDmesh M2 N-channel Power MOSFET offers Zener-protection and extremely low gate charge. This Power MOSFET is developed using the MDmesh™ M2 technology which has strip layout associated to an improved vertical structure, the device exhibits both low ON-resistance and optimized switching characteristics. Therefore it is suitable for the most demanding high efficiency converters.
- Excellent output capacitance (COSS) profile
- 100% Avalanche tested
Pritaikymas
Industrial, Power Management
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
60W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.79ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (1)
Alternatyvos STD9N65M2
Rasta produktų: 2
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00033