Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.ULN2804A
Užsakymo kodas1094429
Jūsų dalies numeris
Techninės specifikacijos
1 990 Sandėlyje
3 000 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,990 € |
| 10+ | 1,280 € |
| 100+ | 1,130 € |
| 500+ | 1,060 € |
| 1000+ | 1,010 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
1,99 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Informacija apie produktą
GamintojasSTMICROELECTRONICS
Gamintojo detalės nr.ULN2804A
Užsakymo kodas1094429
Techninės specifikacijos
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage V(br)ceo50V
Power Dissipation Pd2.25W
DC Collector Current500mA
RF Transistor CaseDIP
No. of Pins18Pins
DC Current Gain hFE1000hFE
Transistor MountingThrough Hole
Operating Temperature Max85°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Produktų apžvalga
The ULN2804A from STMicroelectronics is a through hole eight darlington array in DIP package. Array contains eight darlington transistors with common emitters and integral suppression diodes for inductive loads. Each darlington features peak load current rating of 600mA (500mA continuous) and can withstand at least 50V in the OFF state, 10.5Kohm input resistor for 6V to 15V CMOS are available to simplify interfacing to standard logic families.
- Inputs pinned opposite to outputs to simplify board layout
- Outputs may be paralleled for higher current capability
- Integral suppression diodes
- Output voltage of 50V
- DC current gain (hFE) of 1000
- Operating ambient temperature range from -20°C to 85°C
- Power dissipation (Pd) is 2.25W
Pritaikymas
Power Management, Consumer Electronics, Portable Devices, Industrial
Techniniai duomenys
Transistor Polarity
NPN
Power Dissipation Pd
2.25W
RF Transistor Case
DIP
DC Current Gain hFE
1000hFE
Operating Temperature Max
85°C
Qualification
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
50V
DC Collector Current
500mA
No. of Pins
18Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Techniniai duomenys (3)
Alternatyvos ULN2804A
Rasta produktų: 2
Susiję produktai
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85423990
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (25-Jun-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.018144