Spausdinti puslapį
ATF-34143-TR1G
RF FET Transistor, 5.5 V, 65 mA, 725 mW, 450 MHz, 10 GHz, SOT-343
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasBROADCOM
Gamintojo detalės nr.ATF-34143-TR1G
Užsakymo kodas1056820RL
Techninės specifikacijos
Informacija apie produktą
GamintojasBROADCOM
Gamintojo detalės nr.ATF-34143-TR1G
Užsakymo kodas1056820RL
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds5.5V
Continuous Drain Current Id65mA
Power Dissipation725mW
Operating Frequency Min450MHz
Operating Frequency Max10GHz
Transistor Case StyleSOT-343
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max160°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Produktų apžvalga
The ATF-34143-TR1G is a low noise Pseudomorphic HEMT housed in a surface-mount plastic package. Based on its featured performance, it is ideal for the first or second stage of base station LNA due to the excellent combination of low-noise figure and enhanced linearity. The device is suitable for applications in wireless LAN, WLL/RLL, MMDS and other systems requiring super low-noise figure with good intercept in the 450MHz to 10GHz frequency range.
- Low noise figure
- 800µ Gate width
- 0.5dB Noise figure
- 17.5dB Associated gain
- 20dBm Output power at 1dB gain compression
- 31.5dBm Output 3rd order intercept
Pritaikymas
Industrial, Wireless, Power Management
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
5.5V
Power Dissipation
725mW
Operating Frequency Max
10GHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
65mA
Operating Frequency Min
450MHz
Transistor Case Style
SOT-343
Operating Temperature Max
160°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Techniniai duomenys (1)
Susiję produktai
Rasta produktų: 2
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:United States
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85411000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.004536