Spausdinti puslapį
ATF-54143-TR1G
RF FET Transistor, 5 V, 120 mA, 725 mW, 450 MHz, 6 GHz, SOT-343
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
Informacija apie produktą
GamintojasBROADCOM
Gamintojo detalės nr.ATF-54143-TR1G
Užsakymo kodas1056824
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds5V
Continuous Drain Current Id120mA
Power Dissipation725mW
Operating Frequency Min450MHz
Operating Frequency Max6GHz
Transistor Case StyleSOT-343
No. of Pins4Pins
Operating Temperature Max150°C
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Product Range-
Produktų apžvalga
The ATF-54143-TR1G is a low noise enhancement mode Pseudomorphic HEMT in a surface mount plastic package. The combination of high gain, high linearity and low noise makes the HFET ideal for cellular/PCS base stations.
- Excellent uniformity in product specifications
- 800 Micron gate width
- Low noise figure
- High linearity performance
- Enhancement mode technology
Pritaikymas
RF Communications
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
5V
Power Dissipation
725mW
Operating Frequency Max
6GHz
No. of Pins
4Pins
Channel Type
N Channel
Product Range
-
Continuous Drain Current Id
120mA
Operating Frequency Min
450MHz
Transistor Case Style
SOT-343
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Mounting
Surface Mount
Techniniai duomenys (1)
Susiję produktai
Rasta produktų: 2
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00068
Produkto kilmės atsekamumas