Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.S29GL128P90FAIR10
Užsakymo kodas2772791
Produktų asortimentas3V Parallel NOR Flash Memories
Taip pat žinoma kaipSP005670491, S29GL128P90FAIR10
Techninės specifikacijos
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.S29GL128P90FAIR10
Užsakymo kodas2772791
Produktų asortimentas3V Parallel NOR Flash Memories
Taip pat žinoma kaipSP005670491, S29GL128P90FAIR10
Techninės specifikacijos
Memory Density128Mbit
No. of Pins64Pins
Clock Frequency Max-
Access Time90ns
Supply Voltage Min2.7V
Supply Voltage Max3.6V
Supply Voltage Nom-
Operating Temperature Min-40°C
Operating Temperature Max85°C
Product Range3V Parallel NOR Flash Memories
Alternatyvos S29GL128P90FAIR10
Rasta produktų: 1
Produktų apžvalga
The S29GL128P90FAIR10 is a 128MB page mode Flash Memory featuring 90nm MirrorBit process technology. This device offers a fast page access time of 90ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. It features a write buffer that allows a maximum of 32 words/64 bytes to be programmed in one operation, resulting in faster effective programming time than standard programming algorithms. This makes the device ideal for todays eMBedded applications that require higher density, better performance and lower power consumption.
- Highest address sector protected
- Enhanced Versatile I/O™ control
- Secured silicon sector region
- Can be programmed and locked at the factory or by the customer
- 100000 Erase cycles per sector typical
- 20 Years data retention typical
- Suspend and resume commands for program and erase operations
- Write operation status bits indicate program and erase operation completion
- Unlock bypass program command - Reduces programming time
- Support for CFI (Common Flash Interface)
- Persistent and password methods of advanced sector protection
- WA#/ACC input - Protects first or last sector regardless of sector protection settings
- Hardware reset input (RESET#) resets device
- Ready/busy# output (RY/BY#) detects program or erase cycle completion
Pritaikymas
Computers & Computer Peripherals, Industrial, Communications & Networking, Consumer Electronics
Techniniai duomenys
Memory Density
128Mbit
Clock Frequency Max
-
Supply Voltage Min
2.7V
Supply Voltage Nom
-
Operating Temperature Max
85°C
No. of Pins
64Pins
Access Time
90ns
Supply Voltage Max
3.6V
Operating Temperature Min
-40°C
Product Range
3V Parallel NOR Flash Memories
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Thailand
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Thailand
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85423275
US ECCN:3A991.b.1.a
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Ne
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Ne
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.002374