Spausdinti puslapį
DMG1012T-7
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 630 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
1 099 429 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 100+ | 0,131 € |
| 500+ | 0,0984 € |
| 1000+ | 0,0719 € |
| 5000+ | 0,0605 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 100
Keli: 5
18,10 € (be PVM)
5,00 € pervyniojimo mokestis bus pridėtas šiam produktui
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasDIODES INC.
Gamintojo detalės nr.DMG1012T-7
Užsakymo kodas2543524RL
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id630mA
Drain Source On State Resistance0.4ohm
Transistor Case StyleSOT-523
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation280mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
DMG1012T-7 is a N-channel enhancement mode MOSFET.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Low input/output leakage, ESD protected up to 2kV
- Drain-source voltage is 20V at TA = +25°C
- Gate-source voltage is ±6V at TA = +25°C
- Continuous drain current is 0.63A at TA = +25°C, steady state
- Pulsed drain current is 3A at TA = +25°C
- Total power dissipation is 0.28W at TA = +25°C
- SOT523 package
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
630mA
Transistor Case Style
SOT-523
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
280mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.4ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Techniniai duomenys (1)
Alternatyvos DMG1012T-7
Rasta produktų: 2
Susiję produktai
Rasta produktų: 3
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000053
Produkto kilmės atsekamumas