Spausdinti puslapį
DMG1029SV-7
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 60 V, 60 V, 500 mA, 360 mA, 1.7 ohm
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
1 914 Sandėlyje
3 000 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 5+ | 0,485 € |
| 50+ | 0,324 € |
| 100+ | 0,206 € |
| 500+ | 0,147 € |
| 1500+ | 0,132 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 5
Keli: 5
2,42 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasDIODES INC.
Gamintojo detalės nr.DMG1029SV-7
Užsakymo kodas2543528
Techninės specifikacijos
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel500mA
Continuous Drain Current Id P Channel360mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.7ohm
Drain Source On State Resistance P Channel4ohm
Transistor Case StyleSOT-563
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel450mW
Power Dissipation P Channel450mW
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
DMG1029SV-7 is a complementary pair enhancement mode MOSFET. This MOSFET has been designed to minimize the on-state resistance (RDS(on)) and maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications. Typical applications include general-purpose interfacing switch, power management functions, analogue switch.
- Low on-resistance, low gate threshold voltage
- Low input capacitance, fast switching speed
- Ultra-small surface mount package
- Drain-source voltage is 60V at TA = +25°C, (P/N-channel)
- Continuous drain current is 500mA at TA = +25°C, steady state, VGS = 10V, (P/N-channel)
- Total power dissipation is 0.45W at TA = +25°C, (P/N-channel)
- Static drain-source on-resistance is 1.3ohm at VGS = 10V, ID = 500mA, (P/N-channel)
- SOT563 case
- Operating and storage temperature range from -55 to +150°C
Techniniai duomenys
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
360mA
Drain Source On State Resistance P Channel
4ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
450mW
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
500mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.7ohm
Transistor Case Style
SOT-563
Power Dissipation N Channel
450mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Techniniai duomenys (2)
Susiję produktai
Rasta produktų: 3
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.005
Produkto kilmės atsekamumas