Spausdinti puslapį
DMT35M4LFDF-7
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 13 A, 0.0049 ohm, UDFN2020, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasDIODES INC.
Gamintojo detalės nr.DMT35M4LFDF-7
Užsakymo kodas3405212
Techninės specifikacijos
4 758 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 5+ | 0,532 € |
| 10+ | 0,394 € |
| 100+ | 0,289 € |
| 500+ | 0,222 € |
| 1000+ | 0,179 € |
| 5000+ | 0,139 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 5
Keli: 5
2,66 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasDIODES INC.
Gamintojo detalės nr.DMT35M4LFDF-7
Užsakymo kodas3405212
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source On State Resistance0.0049ohm
Transistor Case StyleUDFN2020
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation860mW
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
13A
Transistor Case Style
UDFN2020
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
860mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0049ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
6Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0002
Produkto kilmės atsekamumas