Spausdinti puslapį
DMTH6010LPD-13
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 60 V, 47.6 A, 47.6 A, 0.0085 ohm
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasDIODES INC.
Gamintojo detalės nr.DMTH6010LPD-13
Užsakymo kodas3518403
Techninės specifikacijos
1 796 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 1,450 € |
| 10+ | 1,010 € |
| 100+ | 0,730 € |
| 500+ | 0,583 € |
| 1000+ | 0,574 € |
| 5000+ | 0,565 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
1,45 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasDIODES INC.
Gamintojo detalės nr.DMTH6010LPD-13
Užsakymo kodas3518403
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel47.6A
Continuous Drain Current Id P Channel47.6A
Drain Source On State Resistance N Channel0.0085ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.0085ohm
Transistor Case StylePowerDI5060
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel2.8W
Power Dissipation P Channel2.8W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (27-Jun-2024)
Produktų apžvalga
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
47.6A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.0085ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
2.8W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
47.6A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.0085ohm
Transistor Case Style
PowerDI5060
Power Dissipation N Channel
2.8W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (27-Jun-2024)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000127
Produkto kilmės atsekamumas