Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.AIMCQ120R080M1TXTMA1
Užsakymo kodas4628430
Produktų asortimentasCoolSiC Series
Taip pat žinoma kaipAIMCQ120R080M1T, SP005730179
Techninės specifikacijos
550 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
Kiekis | |
---|---|
1+ | 9,320 € |
5+ | 8,190 € |
10+ | 7,060 € |
50+ | 6,470 € |
100+ | 5,880 € |
250+ | 5,760 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
9,32 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.AIMCQ120R080M1TXTMA1
Užsakymo kodas4628430
Produktų asortimentasCoolSiC Series
Taip pat žinoma kaipAIMCQ120R080M1T, SP005730179
Techninės specifikacijos
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id34A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation211W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
Techniniai duomenys
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
34A
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
211W
Product Range
CoolSiC Series
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000001
Produkto kilmės atsekamumas