Spausdinti puslapį
AIMDQ75R008M1HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 173 A, 750 V, 0.0106 ohm, HDSOP
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.AIMDQ75R008M1HXUMA1
Užsakymo kodas4295098
Produktų asortimentasCoolSiC Gen I Series
Taip pat žinoma kaipAIMDQ75R008M1H, SP005931682
Techninės specifikacijos
552 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 35,390 € |
| 5+ | 31,410 € |
| 10+ | 27,420 € |
| 50+ | 26,660 € |
| 100+ | 25,890 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
35,39 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.AIMDQ75R008M1HXUMA1
Užsakymo kodas4295098
Produktų asortimentasCoolSiC Gen I Series
Taip pat žinoma kaipAIMDQ75R008M1H, SP005931682
Techninės specifikacijos
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id173A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.0106ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation625W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen I Series
Techniniai duomenys
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
173A
Drain Source On State Resistance
0.0106ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
625W
Product Range
CoolSiC Gen I Series
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0013
Produkto kilmės atsekamumas