Spausdinti puslapį
AUIRF7769L2TR
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 124 A, 0.0035 ohm, DirectFET L8, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.AUIRF7769L2TR
Užsakymo kodas4319007
Produktų asortimentasHEXFET Series
Techninės specifikacijos
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 24 sav.
Pranešti man, kai bus sandėlyje
| Kiekis | |
|---|---|
| 4000+ | 4,680 € |
| 12000+ | 4,590 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Full Reel)
Minimalus: 4000
Keli: 4000
18 720,00 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.AUIRF7769L2TR
Užsakymo kodas4319007
Produktų asortimentasHEXFET Series
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id124A
Drain Source On State Resistance0.0035ohm
Transistor Case StyleDirectFET L8
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation125W
No. of Pins15Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeHEXFET Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
124A
Transistor Case Style
DirectFET L8
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
No. of Pins
15Pins
Product Range
HEXFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Mexico
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000454
Produkto kilmės atsekamumas