Spausdinti puslapį
BFQ19SH6327XTSA1
Bipolar - RF Transistor, NPN, 15 V, 5.5 GHz, 1 W, 120 mA, SOT-89
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.BFQ19SH6327XTSA1
Užsakymo kodas2726101
Taip pat žinoma kaipBFQ 19S H6327, SP001125294
Techninės specifikacijos
1 070 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 0,506 € |
| 10+ | 0,333 € |
| 100+ | 0,278 € |
| 500+ | 0,254 € |
| 1000+ | 0,244 € |
| 5000+ | 0,229 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
0,51 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.BFQ19SH6327XTSA1
Užsakymo kodas2726101
Taip pat žinoma kaipBFQ 19S H6327, SP001125294
Techninės specifikacijos
Transistor PolarityNPN
Collector Emitter Voltage Max15V
Transition Frequency5.5GHz
Power Dissipation1W
Continuous Collector Current120mA
Transistor Case StyleSOT-89
No. of Pins3Pins
DC Current Gain hFE Min70hFE
Transistor MountingSurface Mount
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
Low noise silicon bipolar RF transistor for low noise, low distortion broadband amplifiers in antenna and telecommunications systems up to 1.5GHz.
- Qualification report according to AEC-Q101
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Transistor Polarity
NPN
Transition Frequency
5.5GHz
Continuous Collector Current
120mA
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Collector Emitter Voltage Max
15V
Power Dissipation
1W
Transistor Case Style
SOT-89
DC Current Gain hFE Min
70hFE
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0001
Produkto kilmės atsekamumas