Spausdinti puslapį
BSC030P03NS3GAUMA1
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.BSC030P03NS3GAUMA1
Užsakymo kodas2443466RL
Taip pat žinoma kaipBSC030P03NS3 G, SP000442470
Techninės specifikacijos
16 472 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 100+ | 1,090 € |
| 500+ | 0,912 € |
| 1000+ | 0,801 € |
| 5000+ | 0,771 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 100
Keli: 1
114,00 € (be PVM)
5,00 € pervyniojimo mokestis bus pridėtas šiam produktui
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.BSC030P03NS3GAUMA1
Užsakymo kodas2443466RL
Taip pat žinoma kaipBSC030P03NS3 G, SP000442470
Techninės specifikacijos
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0023ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation125W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 3 - 168 hours
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The BSC030P03NS3 G is a P-channel OptiMOS™ power MOSFET consistently meet the highest quality and performance demands in key specifications for power system design such as ON-state resistance and figure of merit characteristics. It is suitable for use with DC-to-DC converters, eMobility, notebook and on-board charger applications.
- Enhancement-mode
- Normal level, logic level or super logic level
- Avalanche rated
Pritaikymas
Industrial, Consumer Electronics, Motor Drive & Control, Power Management
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
100A
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Techniniai duomenys (3)
Alternatyvos BSC030P03NS3GAUMA1
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0003
Produkto kilmės atsekamumas