Spausdinti puslapį
BSC265N10LSFGATMA1
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 40 A, 0.0265 ohm, PG-TDSON, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.BSC265N10LSFGATMA1
Užsakymo kodas4384124
Produktų asortimentasOptiMOS 2 Series
Techninės specifikacijos
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 18 sav.
Pranešti man, kai bus sandėlyje
| Kiekis | |
|---|---|
| 5000+ | 0,339 € |
| 15000+ | 0,332 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Full Reel)
Minimalus: 5000
Keli: 5000
1 695,00 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.BSC265N10LSFGATMA1
Užsakymo kodas4384124
Produktų asortimentasOptiMOS 2 Series
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id40A
Drain Source On State Resistance0.0265ohm
Transistor Case StylePG-TDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.85V
Power Dissipation78W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
40A
Transistor Case Style
PG-TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
78W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0265ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.85V
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS 2 Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000151
Produkto kilmės atsekamumas