Spausdinti puslapį
BSL302SNH6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 7.1 A, 0.018 ohm, TSOP, Surface Mount
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.BSL302SNH6327XTSA1
Užsakymo kodas2803379
Produktų asortimentasOptiMOS 2
Taip pat žinoma kaipBSL302SN H6327, SP001100662
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7.1A
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeOptiMOS 2
QualificationAEC-Q101
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.1A
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
6Pins
Product Range
OptiMOS 2
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000012