Spausdinti puslapį
BSM25GD120DN2BOSA1
IGBT Module, Three Phase Full Bridge, 35 A, 3 V, 200 W, 125 °C, EconoPACK
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.BSM25GD120DN2BOSA1
Užsakymo kodas1496948
Taip pat žinoma kaipBSM25GD120DN2, SP000100370
Techninės specifikacijos
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.BSM25GD120DN2BOSA1
Užsakymo kodas1496948
Taip pat žinoma kaipBSM25GD120DN2, SP000100370
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationThree Phase Full Bridge
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current35A
Continuous Collector Current35A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3V
Collector Emitter Saturation Voltage3V
Power Dissipation200W
Power Dissipation Pd200W
Junction Temperature Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleEconoPACK
No. of Pins17Pins
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT Technology-
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Alternatyvos BSM25GD120DN2BOSA1
Rasta produktų: 1
Produktų apžvalga
The BSM25GD120DN2 is an IGBT Power Module with fast free wheel diodes and insulated metal base plate.
- 3-phase Full bridge
- 130ns Rise time
- 100ns Fall time
- ±20V Gate-emitter voltage
Pritaikymas
Industrial
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Three Phase Full Bridge
DC Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3V
Power Dissipation
200W
Junction Temperature Tj Max
125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
No. of Pins
17Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
35A
Collector Emitter Saturation Voltage
3V
Power Dissipation Pd
200W
Operating Temperature Max
125°C
Transistor Case Style
EconoPACK
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
-
Product Range
-
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.18
Produkto kilmės atsekamumas