Spausdinti puslapį
DF120R12W2H3B27BOMA1
IGBT Module, Three Phase Inverter, 50 A, 2.05 V, 180 W, 150 °C, Module
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.DF120R12W2H3B27BOMA1
Užsakymo kodas3816937
Produktų asortimentasEasyPACK 2B
Taip pat žinoma kaipSP001025032, DF120R12W2H3_B27
Techninės specifikacijos
27 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 44,410 € |
| 5+ | 39,970 € |
| 10+ | 28,870 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
44,41 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.DF120R12W2H3B27BOMA1
Užsakymo kodas3816937
Produktų asortimentasEasyPACK 2B
Taip pat žinoma kaipSP001025032, DF120R12W2H3_B27
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationThree Phase Inverter
DC Collector Current50A
Continuous Collector Current50A
Collector Emitter Saturation Voltage2.05V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)2.05V
Power Dissipation Pd180W
Power Dissipation180W
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 High Speed
Transistor MountingPanel
Product RangeEasyPACK 2B
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Three Phase Inverter
Continuous Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
2.05V
Power Dissipation
180W
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
DC Collector Current
50A
Collector Emitter Saturation Voltage
2.05V
Power Dissipation Pd
180W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Technology
IGBT 3 High Speed
Product Range
EasyPACK 2B
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hungary
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hungary
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):1.795