Spausdinti puslapį
DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 2 kV, 0.0172 ohm, 18 V, 5.15 V
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Užsakymo kodas4125830
Produktų asortimentasEasyPACK CoolsiC Series
Taip pat žinoma kaipSP005677961, DF4-19MR20W3M1HF_B11
Techninės specifikacijos
8 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 244,180 € |
| 5+ | 239,300 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
244,18 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.DF419MR20W3M1HFB11BPSA1
Užsakymo kodas4125830
Produktų asortimentasEasyPACK CoolsiC Series
Taip pat žinoma kaipSP005677961, DF4-19MR20W3M1HF_B11
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id60A
Drain Source Voltage Vds2kV
Drain Source On State Resistance0.0172ohm
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.15V
Power Dissipation20mW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeEasyPACK CoolsiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
2kV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
20mW
Product Range
EasyPACK CoolsiC Series
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0172ohm
Gate Source Threshold Voltage Max
5.15V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Turi būti tikslinama
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas