Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.EVALPSE1BF12SICTOBO1
Užsakymo kodas3500939
Taip pat žinoma kaipSP001798382
Techninės specifikacijos
2 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 262,280 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
262,28 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.EVALPSE1BF12SICTOBO1
Užsakymo kodas3500939
Taip pat žinoma kaipSP001798382
Techninės specifikacijos
Silicon ManufacturerInfineon
Silicon Core NumberFF11MR12W1M1_B11, FF23MR12W1M1_B11
Kit Application TypePower Management
Application Sub TypeSiC MOSFET Module
Kit ContentsEvaluation Board FF11MR12W1M1_B11/FF23MR12W1M1_B11
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
Evaluation board for CoolSiC™ Easy1B half-bridge modules. This board has the purpose to enable the evaluation of the FF11MR12W1M1_B11 and FF23MR12W1M1_B11 CoolSiC™ MOSFET modules with EiceDRIVER™ 1200V isolated gate driver 1EDI60I12AF. The evaluation board allows the performance of double-pulse measurements as well as functional tests as DC/DC converter. Therefore the board is designed as bidirectional buck-boost converter. Target applications include charger, solar energy systems and UPS.
- Double pulse characterization
- Functional testing of the buck-boost operation using electrical loads at the input or output stage
- Maximum supply voltage of 900V
Techniniai duomenys
Silicon Manufacturer
Infineon
Kit Application Type
Power Management
Kit Contents
Evaluation Board FF11MR12W1M1_B11/FF23MR12W1M1_B11
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Silicon Core Number
FF11MR12W1M1_B11, FF23MR12W1M1_B11
Application Sub Type
SiC MOSFET Module
Product Range
-
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:84733020
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.25