Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.F3L75R12W1H3B27BOMA1
Užsakymo kodas3294633
Produktų asortimentasEasyPACK 1B
Taip pat žinoma kaipF3L75R12W1H3_B27, SP001056132
Techninės specifikacijos
15 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
Kiekis | |
---|---|
1+ | 31,550 € |
5+ | 29,890 € |
10+ | 28,220 € |
50+ | 21,190 € |
100+ | 20,770 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
31,55 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.F3L75R12W1H3B27BOMA1
Užsakymo kodas3294633
Produktų asortimentasEasyPACK 1B
Taip pat žinoma kaipF3L75R12W1H3_B27, SP001056132
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationThree level Inverter
Transistor PolarityQuad N Channel
DC Collector Current45A
Continuous Collector Current45A
Collector Emitter Saturation Voltage1.45V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.45V
Power Dissipation Pd275W
Power Dissipation275W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
No. of Pins21Pins
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 High Speed
Transistor MountingPanel
Product RangeEasyPACK 1B
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Three level Inverter
DC Collector Current
45A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.45V
Power Dissipation Pd
275W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature Tj Max
150°C
No. of Pins
21Pins
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
Quad N Channel
Continuous Collector Current
45A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.45V
Power Dissipation
275W
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 3 High Speed
Product Range
EasyPACK 1B
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hungary
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hungary
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.05
Produkto kilmės atsekamumas