Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.F4150R12KS4BOSA1
Užsakymo kodas2726110
Produktų asortimentasEconoPACK 3
Taip pat žinoma kaipF4-150R12KS4, SP000100435
Techninės specifikacijos
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 14 sav.
Kiekis | |
---|---|
1+ | 118,990 € |
5+ | 116,610 € |
10+ | 114,230 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
118,99 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.F4150R12KS4BOSA1
Užsakymo kodas2726110
Produktų asortimentasEconoPACK 3
Taip pat žinoma kaipF4-150R12KS4, SP000100435
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationFour Pack
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current180A
Continuous Collector Current180A
Collector Emitter Saturation Voltage3.2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.2V
Power Dissipation Pd960W
Power Dissipation960W
Operating Temperature Max125°C
Junction Temperature Tj Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 2 Fast
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoPACK 3
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Four Pack
DC Collector Current
180A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.2V
Power Dissipation Pd
960W
Operating Temperature Max
125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 2 Fast
Product Range
EconoPACK 3
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
180A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.2V
Power Dissipation
960W
Junction Temperature Tj Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hungary
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hungary
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000308