Spausdinti puslapį
FF450R08A03P2XKSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 1.2 V, 1.667 kW, 150 °C, Module
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FF450R08A03P2XKSA1
Užsakymo kodas3625331
Produktų asortimentasHybridPACK
Taip pat žinoma kaipFF450R08A03P2, SP001630036
Techninės specifikacijos
5 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
Galimas, kol sandėlyje yra prekių
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 123,420 € |
| 5+ | 120,950 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
123,42 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FF450R08A03P2XKSA1
Užsakymo kodas3625331
Produktų asortimentasHybridPACK
Taip pat žinoma kaipFF450R08A03P2, SP001630036
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Continuous Collector Current450A
DC Collector Current450A
Collector Emitter Saturation Voltage1.2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.2V
Power Dissipation Pd1.667kW
Power Dissipation1.667kW
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT Termination-
Collector Emitter Voltage Max750V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo750V
IGBT TechnologyIGBT [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeHybridPACK
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
450A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.2V
Power Dissipation
1.667kW
Operating Temperature Max
150°C
IGBT Termination
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
750V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Continuous Collector Current
450A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.2V
Power Dissipation Pd
1.667kW
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
750V
IGBT Technology
IGBT [Trench/Field Stop]
Product Range
HybridPACK
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.410501