Spausdinti puslapį
FF600R12KE4BOSA1
IGBT Module, Trench/Fieldstop, Dual [Half Bridge], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module
9 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 162,980 € |
| 5+ | 157,680 € |
| 10+ | 152,370 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
162,98 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FF600R12KE4BOSA1
Užsakymo kodas2803384
Produktų asortimentas62mm C
Taip pat žinoma kaipFF600R12KE4, SP001500368
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current600A
Continuous Collector Current600A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationTab
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT 4 and emitter controlled 4 diode suitable for use in high power converters, motor drives, UPS systems and wind turbines.
- Extended operating temperature Tvjop
- Low switching losses
- Low VCEsat
- Unbeatable robustness
- VCEsat with positive temperature coefficient
- 4KV AC1 min insulation
- Package with CTI <gt/> 400
- High Creepage and clearance distances
- High power density
- Isolated base plate
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
DC Collector Current
600A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Operating Temperature Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Tab
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
62mm C
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
600A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (1)
Susiję produktai
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hungary
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hungary
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000308
Produkto kilmės atsekamumas