Spausdinti puslapį
FF600R12KE4EBOSA1
IGBT Module, Dual, Common Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Module
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FF600R12KE4EBOSA1
Užsakymo kodas2986499
Taip pat žinoma kaipFF600R12KE4_E, SP001500374
Techninės specifikacijos
7 Sandėlyje
Reikia daugiau?
.
.
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 137,010 € |
| 5+ | 137,000 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
137,01 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FF600R12KE4EBOSA1
Užsakymo kodas2986499
Taip pat žinoma kaipFF600R12KE4_E, SP001500374
Techninės specifikacijos
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationDual, Common Emitter
DC Collector Current600A
Continuous Collector Current600A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Junction Temperature Tj Max150°C
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
No. of Pins7Pins
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Transistor Polarity
Dual N Channel
DC Collector Current
600A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Junction Temperature Tj Max
150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
IGBT Configuration
Dual, Common Emitter
Continuous Collector Current
600A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
7Pins
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
-
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hungary
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hungary
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00036