Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FF6MR12W2M1B70BPSA1
Užsakymo kodas3755140
Produktų asortimentasCoolSiC Trench
Taip pat žinoma kaipSP004486482, FF6MR12W2M1_B70
Techninės specifikacijos
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FF6MR12W2M1B70BPSA1
Užsakymo kodas3755140
Produktų asortimentasCoolSiC Trench
Taip pat žinoma kaipSP004486482, FF6MR12W2M1_B70
Techninės specifikacijos
MOSFET Module ConfigurationHalf Bridge
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id200A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.00563ohm
Transistor Case StyleModule
No. of Pins38Pins
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC Trench
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Techniniai duomenys
MOSFET Module Configuration
Half Bridge
Continuous Drain Current Id
200A
Drain Source On State Resistance
0.00563ohm
No. of Pins
38Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
-
Product Range
CoolSiC Trench
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (27-Jun-2018)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00542