Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FP30R06W1E3
Užsakymo kodas1833545
Taip pat žinoma kaipSP000221202
Techninės specifikacijos
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 15 sav.
Pranešti man, kai bus sandėlyje
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 25,000 € |
| 5+ | 23,920 € |
| 10+ | 22,830 € |
| 50+ | 22,370 € |
| 100+ | 21,920 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
25,00 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FP30R06W1E3
Užsakymo kodas1833545
Taip pat žinoma kaipSP000221202
Techninės specifikacijos
Transistor PolarityN Channel
IGBT ConfigurationPIM
DC Collector Current30A
Continuous Collector Current30A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.55V
Collector Emitter Saturation Voltage1.55V
Power Dissipation115W
Power Dissipation Pd115W
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo600V
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
No. of Pins23Pins
Collector Emitter Voltage Max600V
IGBT Technology-
Product Range-
SVHCNo SVHC (17-Dec-2015)
Produktų apžvalga
The FP30R06W1E3 is an EasyPIM™ 1B PIM IGBT Module with Trench/field-stop IGBT3, emitter controlled 3 diode and NTC. It is suitable for auxiliary inverters and air conditioning.
- Low switching losses
- V(CEsat) with positive temperature coefficient
- Al2O₃ substrate with low thermal resistance
- Compact design
- Solder contact technology
- Rugged mounting due to integrated mounting clamps
- Compact module concept
- Configuration flexibility
Pritaikymas
Power Management, HVAC, Motor Drive & Control
Techniniai duomenys
Transistor Polarity
N Channel
DC Collector Current
30A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.55V
Power Dissipation
115W
Operating Temperature Max
150°C
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage Max
600V
Product Range
-
IGBT Configuration
PIM
Continuous Collector Current
30A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.55V
Power Dissipation Pd
115W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
600V
Transistor Case Style
Module
No. of Pins
23Pins
IGBT Technology
-
SVHC
No SVHC (17-Dec-2015)
Techniniai duomenys (3)
Alternatyvos FP30R06W1E3
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85413000
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (17-Dec-2015)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.024
Produkto kilmės atsekamumas