Spausdinti puslapį
FP35R12W2T4B11BOMA1
IGBT Module, PIM Three Phase Input Rectifier, 54 A, 1.85 V, 215 W, 150 °C, Module
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FP35R12W2T4B11BOMA1
Užsakymo kodas2781245
Produktų asortimentasEconoPIM 2B
Taip pat žinoma kaipFP35R12W2T4_B11, SP000413970
Techninės specifikacijos
39 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 56,550 € |
| 5+ | 50,660 € |
| 10+ | 44,770 € |
| 50+ | 44,760 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
56,55 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FP35R12W2T4B11BOMA1
Užsakymo kodas2781245
Produktų asortimentasEconoPIM 2B
Taip pat žinoma kaipFP35R12W2T4_B11, SP000413970
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationPIM Three Phase Input Rectifier
Transistor PolarityN Channel
Continuous Collector Current54A
DC Collector Current54A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.85V
Collector Emitter Saturation Voltage1.85V
Power Dissipation Pd215W
Power Dissipation215W
Operating Temperature Max150°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoPIM 2B
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
PIM Three Phase Input Rectifier
Continuous Collector Current
54A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.85V
Power Dissipation Pd
215W
Operating Temperature Max
150°C
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
EconoPIM 2B
Transistor Polarity
N Channel
DC Collector Current
54A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.85V
Power Dissipation
215W
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.025
Produkto kilmės atsekamumas