Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FS820R08A6P2BBPSA1
Užsakymo kodas3155176
Produktų asortimentasHybridPACK
Taip pat žinoma kaipFS820R08A6P2B, SP001499708
Techninės specifikacijos
Galima užsakyti
Gamintojo nustatyta įprastinė užsakymo ciklo trukmė: 28 sav.
Pranešti man, kai bus sandėlyje
Kiekis | |
---|---|
1+ | 353,630 € |
5+ | 346,560 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
353,63 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FS820R08A6P2BBPSA1
Užsakymo kodas3155176
Produktų asortimentasHybridPACK
Taip pat žinoma kaipFS820R08A6P2B, SP001499708
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationSix Pack [Full Bridge]
Continuous Collector Current450A
DC Collector Current450A
Collector Emitter Saturation Voltage1.1V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.1V
Power Dissipation Pd714W
Power Dissipation714W
Junction Temperature Tj Max175°C
Operating Temperature Max175°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max750V
Collector Emitter Voltage V(br)ceo750V
IGBT TechnologyIGBT EDT2
Transistor MountingPanel
Product RangeHybridPACK
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Six Pack [Full Bridge]
DC Collector Current
450A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.1V
Power Dissipation
714W
Operating Temperature Max
175°C
IGBT Termination
Press Fit
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
750V
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Continuous Collector Current
450A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.1V
Power Dissipation Pd
714W
Junction Temperature Tj Max
175°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
750V
IGBT Technology
IGBT EDT2
Product Range
HybridPACK
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.01
Produkto kilmės atsekamumas