Spausdinti puslapį
FZ600R12KE3HOSA1
IGBT Module, Single Switch, 900 A, 1.7 V, 2.8 kW, 125 °C, Module
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FZ600R12KE3HOSA1
Užsakymo kodas2726202
Produktų asortimentasStandard 62mm C
Taip pat žinoma kaipFZ600R12KE3, SP000100724
Techninės specifikacijos
459 Sandėlyje
Reikia daugiau?
.
.
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 116,930 € |
| 5+ | 107,580 € |
| 10+ | 102,410 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
116,93 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FZ600R12KE3HOSA1
Užsakymo kodas2726202
Produktų asortimentasStandard 62mm C
Taip pat žinoma kaipFZ600R12KE3, SP000100724
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationSingle Switch
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current900A
Continuous Collector Current900A
Collector Emitter Saturation Voltage1.7V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.7V
Power Dissipation Pd2.8kW
Power Dissipation2.8kW
Junction Temperature Tj Max125°C
Operating Temperature Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 3 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeStandard 62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
62mm C-series module with trench/fieldstop IGBT3 and emitter controlled 3 diode suitable for use in high power converters, motor drives, UPS systems and wind turbines.
- Low switching losses
- Unbeatable robustness
- VCEsat with positive temperature coefficient
- Low VCEsat
- Package with CTI <gt/> 400
- High Creepage and clearance distances
- Isolated base plate
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Single Switch
DC Collector Current
900A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.7V
Power Dissipation Pd
2.8kW
Junction Temperature Tj Max
125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 3 [Trench/Field Stop]
Product Range
Standard 62mm C
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
900A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.7V
Power Dissipation
2.8kW
Operating Temperature Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hungary
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hungary
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):1.2