Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FZ600R12KS4HOSA1
Užsakymo kodas2726203
Produktų asortimentasStandard 62mm C
Taip pat žinoma kaipFZ600R12KS4, SP000100773
Techninės specifikacijos
4 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
Kiekis | |
---|---|
1+ | 167,150 € |
5+ | 167,140 € |
10+ | 167,130 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
167,15 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.FZ600R12KS4HOSA1
Užsakymo kodas2726203
Produktų asortimentasStandard 62mm C
Taip pat žinoma kaipFZ600R12KS4, SP000100773
Techninės specifikacijos
IGBT ConfigurationSingle Switch
Transistor PolarityN Channel
DC Collector Current700A
Continuous Collector Current700A
Collector Emitter Saturation Voltage3.2V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)3.2V
Power Dissipation3.9kW
Power Dissipation Pd3.9kW
Operating Temperature Max125°C
Junction Temperature Tj Max125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationStud
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 2 Fast
Transistor MountingPanel
Product RangeStandard 62mm C
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys
IGBT Configuration
Single Switch
DC Collector Current
700A
Collector Emitter Saturation Voltage
3.2V
Power Dissipation
3.9kW
Operating Temperature Max
125°C
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
IGBT Termination
Stud
IGBT Technology
IGBT 2 Fast
Product Range
Standard 62mm C
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Collector Current
700A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
3.2V
Power Dissipation Pd
3.9kW
Junction Temperature Tj Max
125°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (1)
Susiję produktai
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):1.2
Produkto kilmės atsekamumas