Spausdinti puslapį
IFF450B12ME4PB11BPSA1
IGBT Module, Dual [Half Bridge], 450 A, 1.75 V, 150 °C, Module
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IFF450B12ME4PB11BPSA1
Užsakymo kodas2986381
Produktų asortimentasEconoDUAL 3
Taip pat žinoma kaipIFF450B12ME4P_B11, SP001377612
Techninės specifikacijos
6 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 141,190 € |
| 5+ | 138,370 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
141,19 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IFF450B12ME4PB11BPSA1
Užsakymo kodas2986381
Produktų asortimentasEconoDUAL 3
Taip pat žinoma kaipIFF450B12ME4P_B11, SP001377612
Techninės specifikacijos
Transistor PolarityDual N Channel
IGBT ConfigurationDual [Half Bridge]
DC Collector Current450A
Continuous Collector Current450A
Collector Emitter Saturation Voltage1.75V
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)1.75V
Power Dissipation Pd-
Power Dissipation-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo1.2kV
Operating Temperature Max150°C
Junction Temperature Tj Max150°C
Transistor Case StyleModule
IGBT TerminationPress Fit
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
IGBT TechnologyIGBT 4 [Trench/Field Stop]
Transistor MountingPanel
Product RangeEconoDUAL 3
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys
Transistor Polarity
Dual N Channel
DC Collector Current
450A
Collector Emitter Saturation Voltage
1.75V
Power Dissipation Pd
-
Collector Emitter Voltage V(br)ceo
1.2kV
Junction Temperature Tj Max
150°C
IGBT Termination
Press Fit
IGBT Technology
IGBT 4 [Trench/Field Stop]
Product Range
EconoDUAL 3
IGBT Configuration
Dual [Half Bridge]
Continuous Collector Current
450A
Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on)
1.75V
Power Dissipation
-
Operating Temperature Max
150°C
Transistor Case Style
Module
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
Transistor Mounting
Panel
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hungary
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Hungary
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00036
Produkto kilmės atsekamumas