Spausdinti puslapį
IGLD65R055D2AUMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 20 A, 0.07 ohm, 4.7 nC, LSON, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IGLD65R055D2AUMA1
Užsakymo kodas4680830RL
Taip pat žinoma kaipIGLD65R055D2, SP005825087
Techninės specifikacijos
2 395 Sandėlyje
Reikia daugiau?
.
.
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 10+ | 4,730 € |
| 100+ | 3,830 € |
| 500+ | 3,410 € |
| 1000+ | 2,920 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 10
Keli: 1
52,30 € (be PVM)
5,00 € pervyniojimo mokestis bus pridėtas šiam produktui
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Informacija apie produktą
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
No. of Pins
8Pins
Continuous Drain Current Id
20A
Typical Gate Charge
4.7nC
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Germany
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.000001
Produkto kilmės atsekamumas