Spausdinti puslapį
IGO60R070D1AUMA2
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 600 V, 31 A, 0.07 ohm, 5.8 nC, SOIC, Surface Mount
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IGO60R070D1AUMA2
Užsakymo kodas3775930
Produktų asortimentasCoolGaN
Taip pat žinoma kaipSP005557222, IGO60R070D1
Techninės specifikacijos
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id31A
Drain Source On State Resistance0.07ohm
Typical Gate Charge5.8nC
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
No. of Pins20Pins
Product RangeCoolGaN
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.07ohm
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
20Pins
Qualification
-
Continuous Drain Current Id
31A
Typical Gate Charge
5.8nC
Transistor Mounting
Surface Mount
Product Range
CoolGaN
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Indonesia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Indonesia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.003591
Produkto kilmės atsekamumas