Spausdinti puslapį
IGT65R025D2ATMA1
Gallium Nitride (GaN) Transistor, 650 V, 70 A, 0.03 ohm, 11 nC, HSOF, Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IGT65R025D2ATMA1
Užsakymo kodas4695746RL
Taip pat žinoma kaipIGT65R025D2, SP006026239
Techninės specifikacijos
1 405 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 10+ | 11,790 € |
| 50+ | 10,580 € |
| 100+ | 9,760 € |
| 250+ | 9,560 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 10
Keli: 1
122,90 € (be PVM)
5,00 € pervyniojimo mokestis bus pridėtas šiam produktui
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IGT65R025D2ATMA1
Užsakymo kodas4695746RL
Taip pat žinoma kaipIGT65R025D2, SP006026239
Techninės specifikacijos
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00001
Produkto kilmės atsekamumas