Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IHW30N135R3FKSA1
Užsakymo kodas2480886
Taip pat žinoma kaipIHW30N135R3, SP000989496
Techninės specifikacijos
Nebegaminama
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IHW30N135R3FKSA1
Užsakymo kodas2480886
Taip pat žinoma kaipIHW30N135R3, SP000989496
Techninės specifikacijos
Continuous Collector Current60A
Collector Emitter Saturation Voltage1.65V
Power Dissipation349W
Collector Emitter Voltage Max1.35kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
Produktų apžvalga
The IHW30N135R3 is a Reverse Conducting IGBT with monolithic body diode. The 3rd generation of reverse conducting IGBT has been optimized for lower switching and conduction losses. Reduced power dissipation together with soft switching behaviour allows better thermal performance and EMI behaviour resulting in lower system costs. It features powerful monolithic body diode with low forward voltage designed for soft commutation only. It is suitable for rice cookers and other soft switching applications.
- Excellent performance
- Best-in-class conduction properties in VCE(sat) and Vf
- Lowest switching losses, highest efficiency
- Soft current turn-OFF waveforms for low EMI
- Lowest power dissipation
- Better thermal management
- Surge current capability
- Lower EMI filtering requirements
- Excellent quality
- Highest reliability against peak current
- Very tight parameter distribution
- High ruggedness, temperature stable behaviour
- Easy parallel switching capability due to positive temperature coefficient in VCEsat
- Green product
- Halogen-free
Pritaikymas
Consumer Electronics, Alternative Energy, Power Management
Techniniai duomenys
Continuous Collector Current
60A
Power Dissipation
349W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
Collector Emitter Saturation Voltage
1.65V
Collector Emitter Voltage Max
1.35kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Turi būti tikslinama
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00443
Produkto kilmės atsekamumas