Spausdinti puslapį
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IKW25N120T2FKSA1
Užsakymo kodas1832382
Taip pat žinoma kaipIKW25N120T2, SP000244960
Techninės specifikacijos
600 Sandėlyje
Reikia daugiau?
EXPRESS Pristatymas per 1-2 darbo dienas
Užsisakykite iki 17:00 val
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
Kiekis | |
---|---|
1+ | 6,320 € |
10+ | 6,100 € |
100+ | 3,430 € |
500+ | 3,280 € |
1000+ | 3,210 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
6,32 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IKW25N120T2FKSA1
Užsakymo kodas1832382
Taip pat žinoma kaipIKW25N120T2, SP000244960
Techninės specifikacijos
Continuous Collector Current25A
Collector Emitter Saturation Voltage2.2V
Power Dissipation349W
Collector Emitter Voltage Max1.2kV
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Transistor MountingThrough Hole
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
IGBT in 2nd generation TrenchStop® with soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled diode designed for frequency converters and uninterrupted power supply. TrenchStop® 2nd generation for 1200V applications offers very tight parameter distribution and high ruggedness, temperature stable behaviour.
- Short circuit withstand time 10µs
- Easy paralleling capability due to positive temperature coefficient in VCE(sat)
- Low EMI
- Low gate charge
- Very soft, fast recovery anti-parallel emitter controlled HE diode
- Qualified according to JEDEC for target applications
Įspėjimai
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Techniniai duomenys
Continuous Collector Current
25A
Power Dissipation
349W
Transistor Case Style
TO-247
Operating Temperature Max
175°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Collector Emitter Saturation Voltage
2.2V
Collector Emitter Voltage Max
1.2kV
No. of Pins
3Pins
Transistor Mounting
Through Hole
MSL
-
Techniniai duomenys (1)
Alternatyvos IKW25N120T2FKSA1
Rasta produktų: 3
Susiję produktai
Rasta produktų: 1
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Philippines
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00542
Produkto kilmės atsekamumas