Spausdinti puslapį
IMBG65R007M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 238 A, 650 V, 0.0061 ohm, TO-263 (D2PAK)
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IMBG65R007M2HXTMA1
Užsakymo kodas4378732
Produktų asortimentasCoolSiC G2 Series
Taip pat žinoma kaipIMBG65R007M2H, SP005912570
Techninės specifikacijos
739 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 25,070 € |
| 5+ | 22,450 € |
| 10+ | 19,830 € |
| 50+ | 19,190 € |
| 100+ | 18,550 € |
| 250+ | 18,180 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
25,07 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IMBG65R007M2HXTMA1
Užsakymo kodas4378732
Produktų asortimentasCoolSiC G2 Series
Taip pat žinoma kaipIMBG65R007M2H, SP005912570
Techninės specifikacijos
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id238A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.0061ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation789W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
Produktų apžvalga
IMBG65R007M2HXTMA1 is a CoolSiC MOSFET in a 7 pin TO-263 package. Built on Infineon’s robust 2nd generation Silicon Carbide trench technology, the 650V CoolSiC™ MOSFET delivers unparalleled performance, superior reliability, and great ease of use. It enables cost effective, highly efficient, and simplified designs to fulfil the ever-growing system and market needs. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage and battery formation, UPS, EV charging infrastructure and motor drives.
- Ultra-low switching losses
- Benchmark gate threshold voltage VGS(th) = 4.5V
- Robust against parasitic turn-on even with 0V turn-off gate voltage
- Flexible driving voltage and compatible with bipolar driving scheme
- Robust body diode operation under hard commutation events
- Enables high efficiency and high power density designs
- Facilitates great ease of use and integration
Techniniai duomenys
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
238A
Drain Source On State Resistance
0.0061ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
789W
Product Range
CoolSiC G2 Series
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001
Produkto kilmės atsekamumas