Spausdinti puslapį
IMDQ75R140M1HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, N Channel, 17 A, 750 V, 0.182 ohm, HDSOP
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IMDQ75R140M1HXUMA1
Užsakymo kodas4335819
Produktų asortimentasCoolSiC Series
Taip pat žinoma kaipIMDQ75R140M1H, SP005588271
Techninės specifikacijos
Galima užsakyti
Pranešti man, kai bus sandėlyje
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 5,140 € |
| 10+ | 3,500 € |
| 100+ | 2,510 € |
| 500+ | 2,240 € |
| 1000+ | 2,000 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
5,14 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IMDQ75R140M1HXUMA1
Užsakymo kodas4335819
Produktų asortimentasCoolSiC Series
Taip pat žinoma kaipIMDQ75R140M1H, SP005588271
Techninės specifikacijos
MOSFET Module Configuration-
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id17A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.182ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation100W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
Techniniai duomenys
MOSFET Module Configuration
-
Continuous Drain Current Id
17A
Drain Source On State Resistance
0.182ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
100W
Product Range
CoolSiC Series
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001
Produkto kilmės atsekamumas