Spausdinti puslapį
IMLT65R020M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 107 A, 650 V, 0.018 ohm, HDSOP
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IMLT65R020M2HXTMA1
Užsakymo kodas4445614
Produktų asortimentasCoolSiC G2 Series
Taip pat žinoma kaipIMLT65R020M2H, SP005970056
Techninės specifikacijos
284 Sandėlyje
Reikia daugiau?
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 13,290 € |
| 5+ | 12,010 € |
| 10+ | 10,730 € |
| 50+ | 10,190 € |
| 100+ | 9,650 € |
| 250+ | 9,460 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
13,29 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IMLT65R020M2HXTMA1
Užsakymo kodas4445614
Produktų asortimentasCoolSiC G2 Series
Taip pat žinoma kaipIMLT65R020M2H, SP005970056
Techninės specifikacijos
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id107A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.018ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins16Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation454W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
Techniniai duomenys
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
107A
Drain Source On State Resistance
0.018ohm
No. of Pins
16Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
454W
Product Range
CoolSiC G2 Series
Techniniai duomenys (1)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.0007
Produkto kilmės atsekamumas