Spausdinti puslapį
IMW65R107M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IMW65R107M1HXKSA1
Užsakymo kodas3500946
Produktų asortimentasCoolSiC M1
Taip pat žinoma kaipIMW65R107M1H, SP005398436
Techninės specifikacijos
42 Sandėlyje
240 Galite rezervuoti pageidaujamą kiekį dabar
Pristatymas per 1–2 darbo dienas
Užsakymas iki 17:00 val., standartinis pristatymas
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 5,580 € |
| 10+ | 3,280 € |
| 100+ | 2,970 € |
| 500+ | 2,710 € |
| 1000+ | 2,660 € |
Kaina, skirta:Each
Minimalus: 1
Keli: 1
5,58 € (be PVM)
Pridėti dalies Nr. ir (ar) eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Šis numeris bus įrašytas į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą, važtaraštį, internetinio patvirtinimo el. laišką ir prekės etiketę.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IMW65R107M1HXKSA1
Užsakymo kodas3500946
Produktų asortimentasCoolSiC M1
Taip pat žinoma kaipIMW65R107M1H, SP005398436
Techninės specifikacijos
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.107ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation75W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC M1
Techniniai duomenys
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source On State Resistance
0.107ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
75W
Product Range
CoolSiC M1
Techniniai duomenys (1)
Susiję produktai
Rasta produktų: 4
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:China
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.001
Produkto kilmės atsekamumas