Spausdinti puslapį
IPB600N25N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 250 V, 25 A, 0.06 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
Paveikslėlis yra tik kaip iliustracija. Žr. produkto aprašymą.
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPB600N25N3GATMA1
Užsakymo kodas2443388
Taip pat žinoma kaipIPB600N25N3 G, SP000676408
Techninės specifikacijos
693 Sandėlyje
Reikia daugiau?
.
.
NEMOKAMAS standartinis pristatymas
užsakymams nuo 0,00 € ir daugiau
Tikslus pristatymo laikas bus apskaičiuotas atsiskaitant
| Kiekis | |
|---|---|
| 1+ | 3,420 € |
| 10+ | 2,250 € |
| 50+ | 1,920 € |
| 200+ | 1,580 € |
| 500+ | 1,380 € |
Kaina, skirta:Each (Supplied on Cut Tape)
Minimalus: 1
Keli: 1
3,42 € (be PVM)
eilutės pastabą
Į užsakymo patvirtinimą, sąskaitą faktūrą ir važtaraštį įrašyta tik šiam užsakymui.
Informacija apie produktą
GamintojasINFINEON
Gamintojo detalės nr.IPB600N25N3GATMA1
Užsakymo kodas2443388
Taip pat žinoma kaipIPB600N25N3 G, SP000676408
Techninės specifikacijos
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds250V
Continuous Drain Current Id25A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produktų apžvalga
The IPB600N25N3 G is a N-channel Power MOSFET produce based on OptiMOS™ leading benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Industry's lowest RDS (ON)
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM, MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest Power density
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
Pritaikymas
Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, Lighting, Audio
Techniniai duomenys
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
250V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Techniniai duomenys (2)
Teisinė ir aplinkosaugos informacija
Kilmės šalis:
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesasKilmės šalis:Malaysia
Šalis, kurioje paskutinį kartą gamintojo atliktas stambus gamybos procesas
Tarifo nr.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS suderinamumas:Taip
„RoHS“
RoHS reikalavimai dėl ftalatų naudojimo atitikties:Taip
„RoHS“
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
Atsisiųskite gaminio atitikties sertifikatą
Gaminio atitikties sertifikatas
Svoris (kg):.00181
Produkto kilmės atsekamumas